R6024KNX概述
ROHM R6024KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新
N-Channel 600V 24A Tc 74W Tc Through Hole TO-220FM
得捷:
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Newark:
# ROHM R6024KNX MOSFET, N-CH, 600V, 24A, TO-220FM New
R6024KNX中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 74 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 2000pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 74W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
最小包装 1000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6024KNX引脚图与封装图 
在线购买R6024KNX
型号： R6024KNX
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM R6024KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新