R6020KNZC8概述
ROHM R6020KNZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V 新
N-Channel 600V 20A Tc 68W Tc Through Hole TO-3PF
得捷:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
贸泽:
MOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-3PF, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-3PF Tube
Newark:
# ROHM R6020KNZC8 MOSFET, N-CH, 600V, 20A, TO-3PF New
R6020KNZC8中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 68 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1550pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6020KNZC8引脚图与封装图 
在线购买R6020KNZC8
型号： R6020KNZC8
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM R6020KNZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V 新