RN2106

RN2106图片1
RN2106概述

RN2106 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 80 0.1W/100mW SOT-523/SC-75/SSM 标记YF 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 80 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.1W/100mW Description & Applications| Features • Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT Process • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Fewer parts and simplified manufacturing process • Complementary to RN1101~RN1106 Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 描述与应用| 特点 •晶体管的硅PNP外延型(PCT工艺) •内置偏置电阻 •简化电路设计更少的部件和简化制造工艺 •互补RN1101~~ RN1106 应用 •开关,逆变电路,接口电路和驱动器电路应用

RN2106中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN2106引脚图与封装图
RN2106封装图
RN2106封装焊盘图
在线购买RN2106
型号: RN2106
制造商: Toshiba 东芝
描述:RN2106 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 80 0.1W/100mW SOT-523/SC-75/SSM 标记YF 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司