RN1904

RN1904图片1
RN1904概述

RN1904 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 80 200mW/0.2W SOT-363/US6/SC70-6 标记XD 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 47KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| 1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 80 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Features • TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process Bias Resistor Built-in Transistor • Including two devices in US6 ultra super mini type with 6 leads • With built-in bias resistors • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • Complementary to RN2901 to RN2906 APPLICATIONS • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 描述与应用| 特点 •晶体管的硅NPN外延式(PCT的进程)(偏置电阻内置晶体管) •包括两个设备US6(超超级迷你型6引线) •借助内置的偏置电阻 •简化电路设计 •减少了部件数量和制造工艺 •互补RN2901 RN2906 应用 •开关,逆变电路,接口电路和驱动器电路应用

RN1904中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1904引脚图与封装图
RN1904引脚图
RN1904封装图
RN1904封装焊盘图
在线购买RN1904
型号: RN1904
制造商: Toshiba 东芝
描述:RN1904 NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 80 200mW/0.2W SOT-363/US6/SC70-6 标记XD 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
替代型号RN1904
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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