RN1102F

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RN1102F概述

RN1102F 带阻尼NPN三极管 50V 0.1A R1=R2=10KΩ HEF=50 250MHZ SOT523 代码 XB

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 10KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 10KΩ 电阻比R1/R2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 50 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 耗散功率Pc Power dissipation | 0.1W 描述与应用 Description & Applications | 开关,逆变器电路,接口电路   和驱动电路应用


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin ESM


Win Source:
SWITCHING ,INVERTER CIRCUIT,INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS


RN1102F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 ESM

外形尺寸

封装 ESM

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买RN1102F
型号: RN1102F
制造商: Toshiba 东芝
描述:RN1102F 带阻尼NPN三极管 50V 0.1A R1=R2=10KΩ HEF=50 250MHZ SOT523 代码 XB
替代型号RN1102F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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