晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V
P-Channel 20V 200mA Ta 150mW Ta Surface Mount EMT3F SOT-416FL
欧时:
MOSFET P-Ch 20V 200mA 1.2V Dr. SOT-416FL
得捷:
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
立创商城:
RE1C002ZPTL
贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RZM002P02T2L
e络盟:
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艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin SOT-416FL T/R
儒卓力:
**P-CHAN.MOS+ESD 0,2A 20V EMT3F **
Win Source:
1.2V DRIVE PCH MOSFET
针脚数 3
漏源极电阻 0.8 Ω
极性 P-CH
耗散功率 150 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 115pF @10VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
封装 SOT-416-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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RE1C002ZPTL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RZE002P02TL 罗姆半导体 | 功能相似 | RE1C002ZPTL和RZE002P02TL的区别 |