RE1C002ZPTL

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RE1C002ZPTL概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V

P-Channel 20V 200mA Ta 150mW Ta Surface Mount EMT3F SOT-416FL


欧时:
MOSFET P-Ch 20V 200mA 1.2V Dr. SOT-416FL


得捷:
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F


立创商城:
RE1C002ZPTL


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RZM002P02T2L


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin SOT-416FL T/R


儒卓力:
**P-CHAN.MOS+ESD 0,2A 20V EMT3F **


Win Source:
1.2V DRIVE PCH MOSFET


RE1C002ZPTL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.8 Ω

极性 P-CH

耗散功率 150 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.2A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 115pF @10VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RE1C002ZPTL引脚图与封装图
RE1C002ZPTL引脚图
RE1C002ZPTL封装图
RE1C002ZPTL封装焊盘图
在线购买RE1C002ZPTL
型号: RE1C002ZPTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V
替代型号RE1C002ZPTL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RE1C002ZPTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RZE002P02TL

罗姆半导体

功能相似

RE1C002ZPTL和RZE002P02TL的区别

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