R1LV5256ESA-5SI#B1

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R1LV5256ESA-5SI#B1概述

静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 256KB ADV. 3V TSOP28 55NS -40TO85C

SRAM 存储器 IC 256Kb(32K x 8) 并联 28-TSOP


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R1LV5256ESA 5SI#B1


得捷:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP


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静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 256KB ADV. 3V TSOP28 55NS -40TO85C


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SRAM Chip Async Single 3V 256K-bit 32K x 8 55ns 28-Pin TSOP-I Tray


Win Source:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP / SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 55 ns 28-TSOP I


R1LV5256ESA-5SI#B1中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 28

封装 TSOP-28

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSOP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买R1LV5256ESA-5SI#B1
型号: R1LV5256ESA-5SI#B1
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 256KB ADV. 3V TSOP28 55NS -40TO85C
替代型号R1LV5256ESA-5SI#B1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

R1LV5256ESA-5SI#B1

Renesas Electronics 瑞萨电子

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R1LV5256ESA-5SI#B0

瑞萨电子

完全替代

R1LV5256ESA-5SI#B1和R1LV5256ESA-5SI#B0的区别

R1LV5256ESA-7SR#B0

瑞萨电子

类似代替

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