RB521ZS-30

RB521ZS-30中文资料参数规格
技术参数

正向电压 0.37 V

最大反向电压(Vrrm) 30V

正向电流 0.1 A

最大反向漏电流(Ir) 0.007mA

封装参数

封装 DFN0603-2

外形尺寸

封装 DFN0603-2

其他

产品生命周期 Not Recommended

最小包装 8000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RB521ZS-30
型号: RB521ZS-30
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:肖特基二极管 Schottky Barrier Diode
替代型号RB521ZS-30
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