RSU002P03

RSU002P03中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 0.25A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 UMT

外形尺寸

封装 UMT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: RSU002P03
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:4V驱动P沟道MOSFET 4V Drive Pch MOSFET

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