RN4981FE,LFCT

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RN4981FE,LFCT概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6


得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor


艾睿:
Transistor Silicon NPN-PNP Epitaxial TypePCT Process Bias Resistor Built-in Transistor


RN4981FE,LFCT中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 30

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

RN4981FE,LFCT引脚图与封装图
RN4981FE,LFCT引脚图
在线购买RN4981FE,LFCT
型号: RN4981FE,LFCT
制造商: Toshiba 东芝
描述:Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

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