RN1109,LFCT

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RN1109,LFCT概述

Trans Prebias Npn 0.1W1/10W Ssm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor


艾睿:
Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process Bias Resistor built-in Transistor


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM


RN1109,LFCT中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416

外形尺寸

高度 0.7 mm

封装 SOT-416

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RN1109,LFCT引脚图与封装图
RN1109,LFCT引脚图
RN1109,LFCT封装图
RN1109,LFCT封装焊盘图
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型号: RN1109,LFCT
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans Prebias Npn 0.1W1/10W Ssm

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