RN2111MFV,L3F

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RN2111MFV,L3F概述

双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin VESM Embossed T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM


RN2111MFV,L3F中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 120

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

封装 SOT-723-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买RN2111MFV,L3F
型号: RN2111MFV,L3F
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor

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