RJK0303DPB

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RJK0303DPB概述

RJK0303DPB N 沟道场效应管 30V 40A LFPAK 代码 K0303 电源转换装置 高速开关 低驱动电流

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | +16/-12V 最大漏极电流Id Drain Current | 40A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | RDSon = 3.1 mΩ typ. at VGS = 10 V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage | 耗散功率Pd Power dissipation | 55W 描述与应用 Description & Applications | 硅N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管   电源转换装置   高速开关   低驱动电流   高密度安装   低导通电阻


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 40A 5-LFPAK


RJK0303DPB中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 40A

输入电容Ciss 3300pF @10VVds

额定功率Max 55 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LFPAK

外形尺寸

封装 LFPAK

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: RJK0303DPB
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:RJK0303DPB N 沟道场效应管 30V 40A LFPAK 代码 K0303 电源转换装置 高速开关 低驱动电流

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