RHK005N03

RHK005N03 N沟道MOSFET 30V 500mA/0.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 KU 高输出功率

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.55Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Low On-resistance. High speed switching. 描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 高速开关