RTF015N03 N沟道MOSFET 30V 1.5A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 PP ESD保护门
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.24Ω/Ohm @1.5A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| Switching 30V, 2.5A Silicon N-channel MOS FET Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package TSMT3 . 描述与应用| 开关（30V，2.5A） 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管 小和表面贴装封装
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323
封装 SOT-323
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 1.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.24Ω/Ohm @1.5A,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 800mW/0.8W
规格书PDF __