RTF010P02

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RTF010P02概述

RTF010P02 P沟道MOS场效应管 -20V 1mA 0.28ohm SOT-323 marking/标记 WQ 低导通电阻 超高速开关 低驱动电压

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.28Ω @-1A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| Features Low on-resistance. 570mΩ at 2.5V High power package. High speed switching. Low voltage drive. 2.5V 描述与应用| 低导通电阻。 (570mΩ在2.5V) 高功率封装。 高速开关。 低电压驱动


RTF010P02中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1A

封装参数

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

数据手册

在线购买RTF010P02
型号: RTF010P02
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:RTF010P02 P沟道MOS场效应管 -20V 1mA 0.28ohm SOT-323 marking/标记 WQ 低导通电阻 超高速开关 低驱动电压

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