RB081L-20参数规格_中文资料_数据手册PDF

RB081L-20概述

RB081L-20 肖特基二极管 20V 4A 450mV/0.45V SMA/DO-214AC marking/标记 39 低压降

反向电压VrReverse Voltage| 20V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 4A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 450mV/0.45V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Compact power mold type. PMDS •Ultra low VF. VF=0.27V Typ. at 1A • IO=5A 描述与应用| •紧凑型功率模具类型。（PMDS） •超低VF（VF=0.27V典型值1A）。 •IO= 5A

RB081L-20中文资料参数规格

技术参数

正向电压 0.45 V

最大反向电压（Vrrm） 20V

正向电流 5 A

最大反向漏电流（Ir） 0.7mA

封装参数

封装 DO-214AC

外形尺寸

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Not Recommended

最小包装 1500

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买RB081L-20

型号： RB081L-20

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：RB081L-20 肖特基二极管 20V 4A 450mV/0.45V SMA/DO-214AC marking/标记 39 低压降

立即咨询

替代型号RB081L-20

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RB081L-20 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
RSX501L-20 罗姆半导体	类似代替	RB081L-20和RSX501L-20的区别
RSX501L-20TE25 罗姆半导体	功能相似	RB081L-20和RSX501L-20TE25的区别
RB081L-20TE25 罗姆半导体	功能相似	RB081L-20和RB081L-20TE25的区别