RQ6E030ATTCR

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RQ6E030ATTCR概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 V

表面贴装型 P 通道 30 V 3A(Ta) TSMT6(SC-95)


得捷:
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6


立创商城:
RQ6E030ATTCR


欧时:
Pch -30V -3A Middle Power MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 6-Pin TSMT T/R


RQ6E030ATTCR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 8.5 ns

输入电容Ciss 240pF @15VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

RQ6E030ATTCR引脚图与封装图
RQ6E030ATTCR引脚图
RQ6E030ATTCR封装图
RQ6E030ATTCR封装焊盘图
在线购买RQ6E030ATTCR
型号: RQ6E030ATTCR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 V
替代型号RQ6E030ATTCR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RQ6E030ATTCR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RRQ030P03TR

罗姆半导体

功能相似

RQ6E030ATTCR和RRQ030P03TR的区别

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