RM24C128DS-LSNI-B

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RM24C128DS-LSNI-B概述

IC EEPROM 128Kbit 1MHz 8SOIC

CBRAM Memory IC 128kb 64B Page Size I²C 1MHz 8-SOIC


得捷:
IC CBRAM 128KBIT I2C 1MHZ 8SOIC


艾睿:
EEPROM Serial-I2C 128K-bit 256Pages x 64 1.8V/2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N Tube


TME:
Memory; EEPROM; I2C; 1.65÷3.6V; 1MHz; SO8; Package: tube; CBRAM®


RM24C128DS-LSNI-B中文资料参数规格
技术参数

存取时间Max 400 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买RM24C128DS-LSNI-B
型号: RM24C128DS-LSNI-B
描述:IC EEPROM 128Kbit 1MHz 8SOIC

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