R6035KNZC8参数规格_中文资料_数据手册PDF

R6035KNZC8概述

MOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET

N-Channel 600V 35A Tc 102W Tc Through Hole TO-3PF

得捷:
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

贸泽:
MOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-3PF Bulk

R6035KNZC8中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 92 mΩ

耗散功率 102 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

下降时间 95 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 102W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： R6035KNZC8

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET