R6015KNJTL概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 5 V
N-Channel 600V 15A Tc 184W Tc Surface Mount LPTS
得捷:
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
贸泽:
MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
R6015KNJTL中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 260 mΩ
耗散功率 184 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1050pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 184W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买R6015KNJTL
型号： R6015KNJTL
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 5 V