RQ5E070BNTCL概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 0.0124 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30V 7A Tc 1W Tc Surface Mount TSMT3
立创商城:
N沟道 30V 7A
得捷:
MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
贸泽:
MOSFET Nch 30V 7Ad Si MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 0.0124 ohm, 10 V, 2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 3-Pin TSMT T/R
RQ5E070BNTCL中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 12.4 mΩ
耗散功率 1 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 950pF @15VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-346-3
外形尺寸
封装 SOT-346-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买RQ5E070BNTCL
型号： RQ5E070BNTCL
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 0.0124 ohm, 10 V, 2.5 V