R6035KNZ1C9

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R6035KNZ1C9概述

TO-247 N-CH 600V 35A

N-Channel 600V 35A Tc 379W Tc Through Hole TO-247


得捷:
MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247


贸泽:
MOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-247 Bulk


R6035KNZ1C9中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 92 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 379 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

下降时间 95 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 379W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买R6035KNZ1C9
型号: R6035KNZ1C9
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:TO-247 N-CH 600V 35A

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