RQ7E110AJTCR参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RQ7E110AJTCR概述

MOSFET Nch 30V 11A Si MOSFET

表面贴装型 N 通道 30 V 11A（Tc） 1.5W（Tc） TSMT8

得捷:
MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8

贸泽:
MOSFET Nch 30V 11A Si MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSMT T/R

RQ7E110AJTCR中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 2410pF @15VVds

下降时间 79 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSMT-8

外形尺寸

封装 TSMT-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： RQ7E110AJTCR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MOSFET Nch 30V 11A Si MOSFET