RQ3C150BCTB

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RQ3C150BCTB概述

P沟道 20V 37A

MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT


立创商城:
P沟道 20V 37A


得捷:
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT


贸泽:
MOSFET Pch -20V -30A Si MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 15A 8-Pin HSMT EP T/R


RQ3C150BCTB中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 4.8 mΩ

耗散功率 20 W

阈值电压 1.2 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 4800pF @10VVds

下降时间 280 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSMT-8

外形尺寸

封装 HSMT-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

RQ3C150BCTB引脚图与封装图
RQ3C150BCTB引脚图
RQ3C150BCTB封装图
RQ3C150BCTB封装焊盘图
在线购买RQ3C150BCTB
型号: RQ3C150BCTB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:P沟道 20V 37A

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