R6004KNX参数规格_中文资料_数据手册PDF

R6004KNX概述

TO-220FM N 600V 4A 0.9Ω

N-Channel 600V 4A Tc 40W Tc Through Hole TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM

贸泽:
MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

R6004KNX中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.9 Ω

极性 N

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 280pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： R6004KNX

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：TO-220FM N 600V 4A 0.9Ω