R6007KNX参数规格_中文资料_数据手册PDF

R6007KNX概述

N沟道 600V 7A

N-Channel 600V 7A Tc 46W Tc Through Hole TO-220FM

立创商城:
N沟道 600V 7A

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

R6007KNX中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.57 Ω

极性 N

耗散功率 46W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 470pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 46W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： R6007KNX

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：N沟道 600V 7A