RQ7E055ATTCR概述
晶体管, MOSFET, P沟道, -5.5 A, -30 V, 0.0193 ohm, -10 V, -2.5 V
P-Channel 30V 5.5A Tc 1.5W Tc Surface Mount TSMT8
得捷:
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
贸泽:
MOSFET Pch -30V -5.5A Si MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 5.5 A, 0.0193 ohm, TSMT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-Pin TSMT T/R
RQ7E055ATTCR中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0193 Ω
极性 P-CH
耗散功率 1.5 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.5A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 860pF @15VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSMT-8
外形尺寸
封装 TSMT-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买RQ7E055ATTCR
型号： RQ7E055ATTCR
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, P沟道, -5.5 A, -30 V, 0.0193 ohm, -10 V, -2.5 V