RQ3G150GNTB概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 40V 39A Tc 20W Tc Surface Mount 8-HSMT 3.2x3
得捷:
MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
贸泽:
MOSFET Nch 40V 30Aw Si MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 39 A, 0.005 ohm, HSMT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin HSMT EP T/R
RQ3G150GNTB中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.005 Ω
极性 N-CH
耗散功率 20 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 15A
上升时间 6.4 ns
输入电容Ciss 1450pF @20VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSMT-8
外形尺寸
封装 HSMT-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买RQ3G150GNTB
型号： RQ3G150GNTB
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V