RF4E100AJTCR概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0094 ohm, 4.5 V, 1.5 V
N-Channel 30V 10A Ta 2W Tc Surface Mount HUML2020L8
得捷:
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 10 A, 0.0094 ohm, HUML2020, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin HUML EP T/R
安富利:
Nch 30V 10A Middle Power MOSFET, HUML2020L8Single, Nch, JEDEC DFN2020-8S,
RF4E100AJTCR中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0094 Ω
极性 N-CH
耗散功率 2 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 1460pF @15VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerUDFN-8
外形尺寸
封装 PowerUDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买RF4E100AJTCR
型号： RF4E100AJTCR
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0094 ohm, 4.5 V, 1.5 V