R6020KNJTL概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V
N-Channel 600V 20A Tc 231W Tc Surface Mount LPTS
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
贸泽:
MOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A LPTS / N-Channel 600 V 20A Tc 231W Tc Surface Mount LPTS
R6020KNJTL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.17 Ω
极性 N-CH
耗散功率 231 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1550pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 231W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买R6020KNJTL
型号： R6020KNJTL
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V