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RFP4N100中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 4.30 A

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 1.00 kV

连续漏极电流Ids 4.30 A

上升时间 50 ns

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买RFP4N100

型号： RFP4N100

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：MOSFET N-CH 1kV 4.3A TO-220AB

替代型号RFP4N100

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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