R6076MNZ1C9参数规格_中文资料_数据手册PDF

R6076MNZ1C9概述

Mosfet, n-Ch, 600V, 76A, To-247

N-Channel 600V 76A Tc 740W Tc Through Hole TO-247

得捷:
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247

贸泽:
MOSFET Nch 600V 76A TO-247 Pwr MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

R6076MNZ1C9中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.04 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 740 W

阈值电压 3 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 300 ns

输入电容Ciss 7 nF

下降时间 200 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 740000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R6076MNZ1C9引脚图与封装图

在线购买R6076MNZ1C9

型号： R6076MNZ1C9

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Mosfet, n-Ch, 600V, 76A, To-247