RUC002N05HZGT116概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 1 V
N-Channel 50V 200mA Ta 350mW Ta Surface Mount SST3
欧时:
Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
立创商城:
RUC002N05HZGT116
贸泽:
ROHM Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
RUC002N05HZGT116中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.6 Ω
极性 N-CH
耗散功率 350 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 200mA
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RUC002N05HZGT116引脚图与封装图 
在线购买RUC002N05HZGT116
型号： RUC002N05HZGT116
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 1.6 ohm, 4.5 V, 1 V