RGT50NS65DGTL

RGT50NS65DGTL 编带

IGBT 沟槽型场截止 650 V 48 A 194 W 表面贴装型 LPDS

得捷:
IGBT TRENCH FIELD 650V 48A LPDS

立创商城:
沟槽场截止 194W 650V 48A

贸泽:
ROHM Semiconductor

e络盟:
单晶体管, IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 引脚

安富利:
Transistor IGBT Chip N-CH 650V 48A 3-Pin LPDS T/R