RUF025N02FRATL概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 20 V, 0.039 ohm, 4.5 V, 1.3 V
N-Channel 20V 2.5A Ta 800mW Ta Surface Mount TUMT3
欧时:
Nch 20V 2.5A Middle Power MOSFET
立创商城:
N沟道 20V 2.5A
得捷:
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 20 V, 0.039 ohm, 4.5 V, 1.3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A Automotive 3-Pin TUMT T/R
RUF025N02FRATL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.039 Ω
极性 N-CH
耗散功率 800 mW
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 370pF @10VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TUMT-3
外形尺寸
封装 TUMT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买RUF025N02FRATL
型号： RUF025N02FRATL
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 20 V, 0.039 ohm, 4.5 V, 1.3 V