RGPR30BM40HRTL参数规格_中文资料_数据手册PDF

RGPR30BM40HRTL概述

单晶体管, IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-252, 3 引脚

IGBT 430V 30A 125W Surface Mount TO-252

得捷:
IGBT 430V 30A IGNITION TO252

Win Source:
400V 30A IGNITION IGBT / IGBT 430 V 30 A 125 W Surface Mount TO-252

RGPR30BM40HRTL中文资料参数规格

技术参数

额定功率 125 W

针脚数 3

耗散功率 125 W

击穿电压集电极-发射极 430 V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买RGPR30BM40HRTL

型号： RGPR30BM40HRTL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：单晶体管, IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-252, 3 引脚