RFD12N06RLESM9A

ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFD12N06RLESM9A, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor

UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。

应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。

### MOSFET ，Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。