R6002END3TL1

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R6002END3TL1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 600V 1.7A Tc 26W Tc Surface Mount TO-252


立创商城:
N沟道 600V 1.7A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252 / N-Channel 600 V 1.7A Tc 26W Tc Surface Mount TO-252


R6002END3TL1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.8 Ω

耗散功率 26 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 65pF @25VVds

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 26W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

R6002END3TL1引脚图与封装图
R6002END3TL1引脚图
R6002END3TL1封装图
R6002END3TL1封装焊盘图
在线购买R6002END3TL1
型号: R6002END3TL1
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V

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