RD3T050CNTL1

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RD3T050CNTL1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.54 ohm, 10 V, 5.25 V

N-Channel 200V 5A Tc 29W Tc Surface Mount TO-252


得捷:
MOSFET N-CH 200V 5A TO252


贸泽:
MOSFET Nch 200V 5A TO-252 DPAK


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.54 ohm, 10 V, 5.25 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


RD3T050CNTL1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

耗散功率 29 W

阈值电压 5.25 V

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 330pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 29W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

RD3T050CNTL1引脚图与封装图
RD3T050CNTL1引脚图
RD3T050CNTL1封装图
RD3T050CNTL1封装焊盘图
在线购买RD3T050CNTL1
型号: RD3T050CNTL1
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.54 ohm, 10 V, 5.25 V

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