R6011END3TL1

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R6011END3TL1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V

表面贴装型 N 通道 600 V 11A(Tc) 124W(Tc) TO-252


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO252


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Nch 600V 11A POWER MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 11A TO252 / N-Channel 600 V 11A Tc 124W Tc Surface Mount TO-252


R6011END3TL1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

耗散功率 124 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 670pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 124000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买R6011END3TL1
型号: R6011END3TL1
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V

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