R6509ENJTL

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R6509ENJTL概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.53 ohm, 10 V, 4 V

表面贴装型 N 通道 9A(Tc) 94W(Tc) LPTS


得捷:
MOSFET N-CH 650V 9A LPTS


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.53 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab LPTS T/R


R6509ENJTL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.53 Ω

耗散功率 94 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 430pF @25VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买R6509ENJTL
型号: R6509ENJTL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.53 ohm, 10 V, 4 V

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