SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ SQI™ SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place XIP 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 SPI 协议。 通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。### 特点串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构 x1/x2/x4 串行外围接口 SPI 协议 高速时钟频率 - 最大 104 MHz 脉冲串模式 低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型） 快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型） 灵活的擦除能力 软件写入保护 ### 闪存，Microchip
SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 SQI SuperFlash® 存储器
的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O™ SQI™ SuperFlash® 存储 IC，具有六线、4 位输入/输出接口，允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI™ 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place XIP 功能，带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能，用于传统串行外围接口 SPI 协议。
通过使用 SuperFlash® 技术，这些设备可提供卓越的擦除时间，与其他闪存备选设备相比，非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成，全芯片擦除操作通常需要 35 ms。
### 特点
串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出，带 SPI 串行命令结构
x1/x2/x4 串行外围接口 SPI 协议
高速时钟频率 - 最大 104 MHz
脉冲串模式
低功耗 – 有源读取 15 mA（104 MHz 时典型），待机 15 μA（典型）
快速擦除时间 - 扇区/块擦除：18 ms（典型）；芯片擦除 35 ms（典型）
灵活的擦除能力
软件写入保护
针脚数 8
时钟频率 104 MHz
存取时间Max 8 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 医用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 3A991.B.1.A
HTS代码 8542320051
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SST26VF016B-104I/SN Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
SST26VF016BT-104I/SN 微芯 | 完全替代 | SST26VF016B-104I/SN和SST26VF016BT-104I/SN的区别 |
SST26VF016B-104V/SN 微芯 | 类似代替 | SST26VF016B-104I/SN和SST26VF016B-104V/SN的区别 |
170-40-650-00-001000 仕元机械 | 功能相似 | SST26VF016B-104I/SN和170-40-650-00-001000的区别 |