SST39LF010/020/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39LF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点3.0-3.6V 读取和写入操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 5 mA，待机电流 1 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 - SST39LF010 2 秒，SST39SF020 4 秒，SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 CMOS 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip
SST39LF010/020/040 并行 SuperFlash® 存储器
的 SST39LF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。
### 特点
3.0-3.6V 读取和写入操作
寿命 - 100,000 次循环（典型）
低功耗 - 有源电流 5 mA，待机电流 1 μA（14 MHz 时的典型值）
扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区
读取访问时间 - 55 ns
扇区擦除时间 18 ms
芯片擦除时间：70 ms（典型）
字节编程时间 - 14 μs（典型）
芯片重写时间 - SST39LF010 2 秒，SST39SF020 4 秒，SST39SF040 8 秒（典型值）
锁存地址和数据
自动写入计时 - 内部 VPP 生成
写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询
CMOS 输入/输出兼容性
JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件
### 闪存，Microchip
供电电流 20 mA
针脚数 32
位数 8
存取时间 55 ns
存取时间Max 55 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 32
封装 PLCC-32
长度 11.43 mm
宽度 13.97 mm
高度 2.79 mm
封装 PLCC-32
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 3A991.b.1.a
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SST39LF040-55-4C-NHE Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
SST39LF040-55-4C-NHE-T 微芯 | 完全替代 | SST39LF040-55-4C-NHE和SST39LF040-55-4C-NHE-T的区别 |
SST39VF040-70-4I-NHE 微芯 | 类似代替 | SST39LF040-55-4C-NHE和SST39VF040-70-4I-NHE的区别 |
SST39SF040-70-4I-NHE 微芯 | 类似代替 | SST39LF040-55-4C-NHE和SST39SF040-70-4I-NHE的区别 |