Spansion### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
并联 NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor
高性能
快速随机访问和高带宽
### 快闪存储器
闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
欧时:
### 闪存存储器，Spansion### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
Verical:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray
Newark:
# SPANSION S29GL01GS10TFI010 Flash Memory, NOR, 1 Gbit, 64M x 16bit, Parallel, TSOP, 56 Pins
电源电压DC 2.70V min
供电电流 60 mA
存取时间 100 ns
内存容量 128000000 B
存取时间Max 100 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 56
封装 TSOP-56
长度 18.5 mm
宽度 14.1 mm
高度 1.05 mm
封装 TSOP-56
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
S29GL01GS10TFI010 Spansion 飞索半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
S29GL01GS11TFIV20 飞索半导体 | 完全替代 | S29GL01GS10TFI010和S29GL01GS11TFIV20的区别 |