SPANSION S29GL512P11TFI010.. 闪存芯片, NOR, 512Kb
闪存存储器，Cypress Semiconductor
欧时:
Spansion S29GL512P11TFI010 闪存, 512Mbit, 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚 TSOP封装
e络盟:
闪存芯片, NOR, 512Kb
Verical:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 110ns 56-Pin TSOP Tray
Newark:
# SPANSION S29GL512P11TFI010 Flash Memory, NOR, 512 Mbit, 64M x 8bit / 32M x 16bit, Parallel, TSOP, 56 Pins
Win Source:
IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP
电源电压DC 2.70V min
供电电流 110 mA
针脚数 56
存取时间 110 ns
内存容量 64000000 B
存取时间Max 110 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V, 3.3V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 56
封装 TSOP-56
长度 14 mm
宽度 18.4 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-56
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 3A991.b.1.a
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
S29GL512P11TFI010 Spansion 飞索半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
S29GL512P10TFIR10 飞索半导体 | 类似代替 | S29GL512P11TFI010和S29GL512P10TFIR10的区别 |
S29GL512P10TFIR20 飞索半导体 | 类似代替 | S29GL512P11TFI010和S29GL512P10TFIR20的区别 |