















ON SEMICONDUCTOR SZMMBZ27VALT1G TVS Diode, SZMMB Series, Unidirectional, 22 V, 40 V, SOT-23, 3 Pins 新
40W 双齐纳瞬态电压抑制器,
SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。
旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。
得捷:
TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23-3
立创商城:
SZMMBZ27VALT1G
欧时:
ESD 保护二极管 ON Semiconductor SZMMBZ27VALT1G 单向, 40W, 40V, 3针 SOT-23封装
贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 ZEN REG .225W SPCL
艾睿:
Never worry about unexpected ESD again from implementing this tvs SZMMBZ27VALT1G ESD protection device manufactured from ON Semiconductor. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 16@HBM/0.4@MM kV. This device&s;s maximum clamping voltage is 40 V. This ESD diode has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It is made in a dual common anode|single configuration.
Allied Electronics:
SZMMBZ27VALT1G; Dual Uni-Directional ESD Protection Diode; 40W; 3-Pin SOT-23
安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 16kV Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 22V Automotive Medical 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR SZMMBZ27VALT1G TVS DIODE, 40W, UNIDIR, SOT-23
Win Source:
TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23-3
工作电压 22 V
击穿电压 27 V
针脚数 3
耗散功率 300 mW
钳位电压 40 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 28.35 V
脉冲峰值功率 40 W
最小反向击穿电压 25.65 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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