ON SEMICONDUCTOR SZMMBZ27VCLT1G ESD Protection Device, 38 V, SOT-23, 3 Pins, 225 mW 新
40W 双齐纳瞬态电压抑制器,
SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。
旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。
立创商城:
SZMMBZ27VCLT1G
得捷:
TVS DIODE 22VWM 38VC SOT23-3
欧时:
40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 ZEN REG .225W SPCL
e络盟:
静电保护装置, 38 V, SOT-23, 3 引脚, 225 mW, SZMMB Series
艾睿:
This tvs SZMMBZ27VCLT1G ESD protection device from ON Semiconductor protects against electrostatic discharge. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 16@HBM kV. This device&s;s maximum clamping voltage is 38 V. This ESD diode has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It is made in a dual common cathode|single configuration.
Allied Electronics:
40W Zener TVS 27V Dual Com.Cathode SOT23
安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 16kV Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Diode: transil; 40W; 27V; 1A; unidirectional, common anode, double
Verical:
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 22V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
DIODE, ESD PROTECTION, 38V
Win Source:
TVS DIODE 22VWM 38VC SOT23
针脚数 3
耗散功率 225 mW
钳位电压 38 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 28.35 V
脉冲峰值功率 40 W
最小反向击穿电压 25.65 V
击穿电压 25.65 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.40 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
SZMMBZ27VCLT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
SZMMBZ27VCLT3G 安森美 | 完全替代 | SZMMBZ27VCLT1G和SZMMBZ27VCLT3G的区别 |
MMBZ27VCLT1G 安森美 | 类似代替 | SZMMBZ27VCLT1G和MMBZ27VCLT1G的区别 |
SZMMBZ27VALT1G 安森美 | 类似代替 | SZMMBZ27VCLT1G和SZMMBZ27VALT1G的区别 |