STW160N75F3

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STW160N75F3概述

STMICROELECTRONICS  STW160N75F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 3.5 mohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 75 V 120A(Tc) 330W(Tc) TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3


欧时:
### N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STW160N75F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 3.5 mohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Compared to traditional transistors, STW160N75F3 power MOSFETs, developed by STMicroelectronics, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 330000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device is made with stripfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


STW160N75F3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 3.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 75 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 6750pF @25VVds

额定功率Max 330 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STW160N75F3
型号: STW160N75F3
描述:STMICROELECTRONICS  STW160N75F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 3.5 mohm, 10 V, 4 V
替代型号STW160N75F3
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STW160N75F3

ST Microelectronics 意法半导体

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STP210N75F6

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