STW20NM50参数规格_中文资料_数据手册PDF

STW20NM50概述

STMICROELECTRONICS STW20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 550 V 20A（Tc） 214W（Tc） TO-247-3

得捷:
MOSFET N-CH 550V 20A TO247-3

贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp

e络盟:
STMICROELECTRONICS STW20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: unipolar, N-FET; 550V; 20A; TO247

DeviceMart:
MOSFET N-CH 550V 20A TO-247

STW20NM50中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 550 V

额定电流 20.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 250 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 214 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 550 V

漏源击穿电压 550 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1480pF @25VVds

额定功率Max 214 W

下降时间 8.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 214W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STW20NM50引脚图与封装图

在线购买STW20NM50

型号： STW20NM50

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：STMICROELECTRONICS STW20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 V

立即咨询

替代型号STW20NM50

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STW20NM50 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STW20NM50FD 意法半导体	类似代替	STW20NM50和STW20NM50FD的区别
STW23NM50N 意法半导体	类似代替	STW20NM50和STW23NM50N的区别
STP20NM50 意法半导体	功能相似	STW20NM50和STP20NM50的区别